TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R

1.SSM3J351R應(yīng)用

2.SSM3J351R特性 

 RDS（ON） = 122 mΩ（典型值） （VGS = -4.5 V）

 RDS（ON） = 129 mΩ（典型值） （VGS = -4.0 V）

3.SSM3J351R絕對最大額定值 （注） （除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請在查看東芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃浴?

注 1：確保通道溫度不超過 150 。

注 2：脈沖寬度 （PW） ≤ 1 ms，占空≤比 1 % 注 3：器件安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹脂板上（銅墊：645 mm2）

 注 4：VDD = 25 V，Tch = 25 （初始狀態(tài)），L = 1 mH，RG = 25 Ω注：該晶體管對靜電放電敏感，應(yīng)小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時，應(yīng)保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a） 和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時，請務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J351R靜電特性（除非另有說明，否則 T a= 25 ）

注 1：如果在門和源之間施加反向偏置，該器件將進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：脈沖測量。

5.SSM3J351R動態(tài)特性（除非另有說明，T = 25）

6.SSM3J351R柵極電荷特性（除非另有說明，T = 25  ）

7.SSM3J351R源極-漏極特性（除非另有說明，Ta = 25 ）