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作者:網(wǎng)站管理員 發(fā)布時(shí)間:2024-09-11 瀏覽次數(shù):
注:在重負(fù)載下連續(xù)使用(例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等)可能會(huì)導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降,即使使用條件(即工作溫度/電流/電壓等)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。請(qǐng)?jiān)诓榭礀|芝半導(dǎo)體可靠性手冊(cè)(“處理注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”)和各個(gè)可靠性數(shù)據(jù)(即可靠性測(cè)試報(bào)告和估計(jì)故障率等)后設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴?
注 1:確保通道溫度不超過(guò) 150 。
注 2:重復(fù)評(píng)級(jí);脈沖寬度受最高通道溫度限制。
注 3:安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹(shù)脂板上的器件(銅焊盤(pán):645 mm2)注:該晶體管對(duì)靜電放電敏感,應(yīng)小心處理。注意:該器件中的 MOSFET 對(duì)靜電放電敏感。處理此設(shè)備時(shí),應(yīng)保護(hù)工作臺(tái)、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。
注:通道到環(huán)境的熱阻 Rth(ch-a) 和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤(pán)面積而變化。使用此設(shè)備時(shí),請(qǐng)務(wù)必充分考慮散熱。
注 1:如果在門(mén)和源之間施加反向偏置,該器件將進(jìn)入 V(BR)DSX 模式。請(qǐng)注意,在此模式下,漏極擊穿電壓會(huì)降低。注 2:脈沖測(cè)量
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