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作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時(shí)間：2024-09-21 瀏覽次數(shù)：
Toshiba UMOS9-H硅N溝道MOSFET非常適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這些MOSFET具有小柵極電荷、
小輸出電荷、低漏源導(dǎo)通電阻和低漏電流。UMOS9-H N溝道MOSFET具有80V漏源電壓、 ±20V柵極-源極電壓以及175°C通道溫度。
這些MOSFET還具有 ±0.1μA柵極漏電流、10μA漏極截止電流以及 -55°C至175°C存儲(chǔ)溫度范圍。UMOS9-H N溝道MOSFET符合
RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高級(jí)（N））封裝。
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