TOSHIBA(東芝)-SSM3J56ACT

1.SSM3J56ACT應(yīng)用

高速交換機(jī)

2.SSM3J56ACT特點(diǎn)

(1) 1.2 V驅(qū)動(dòng)器
(2)低漏極電阻：
RDS（接通）=390 mΩ（最大）（@VGS=-4.5V）

RDS（接通）=480 mΩ（最大）（@VGS=-2.5V）

RDS（接通）=660 mΩ（最大）（@VGS=-1.8V）

RDS（接通）=900 mΩ（最大）（@VGS=-1.5V）

RDS（ON）=4000 mΩ（最大）（@VGS=-1.2V）

3.SSM3J56ACT絕對(duì)最大額定值（注）（除非另有規(guī)定，Ta = 25?C）

注：在重負(fù)載下連續(xù)使用（如應(yīng)用高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）即使有運(yùn)行條件（即運(yùn)行溫度/電流/電壓等），也可能導(dǎo)致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低。在絕對(duì)最大評(píng)級(jí)范圍內(nèi)。請(qǐng)?jiān)趯彶闁|芝半導(dǎo)體可靠性手冊(cè)（“處理注意事項(xiàng)”/“降低概念和方法”）和個(gè)別可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測(cè)試報(bào)告和估計(jì)故障率等）后，設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴Ｗ?：確保通道溫度不超過(guò)150.注2：脈沖寬度（PW）≤10 ms，占空比= 1 %注3：設(shè)備安裝在25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm FR4玻璃環(huán)氧樹(shù)脂板（銅墊： 645 mm2）上

注：該晶體管對(duì)靜電放電很敏感，應(yīng)小心處理。注：本裝置中的mosfet對(duì)靜電放電很敏感。在操作該設(shè)備時(shí)，應(yīng)保護(hù)工作臺(tái)、操作人員、焊鐵等物體的防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根據(jù)板材料、板面積、板厚度和墊面積而不同。在使用此設(shè)備時(shí)，一定要充分考慮散熱因素。

4.SSM3J56ACT靜態(tài)特性（除非另有規(guī)定，Ta = 25?C）

注1：如果在柵極和源之間施加正向偏置，該設(shè)備進(jìn)入V（BR）DSX模式。注意，在此模式下，排水管擊穿電壓降低。注2：設(shè)V為柵極和源極之間施加的電壓，導(dǎo)致漏極電流（ID）以下（該設(shè)備為-1mA）。然后，對(duì)于正常的切換操作，VGS（ON）必須高于Vth，并且VGS（OFF）必須低于Vth。這種關(guān)系可以表示為： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用該設(shè)備時(shí)要考慮到這一點(diǎn)。注3：脈沖測(cè)量。